汎用的なスパッタ法にて窒化ガリウムや酸化ガリウムを成膜することで安価で工業的に広く応用できるようにすることで社会に貢献することを目的としています。将来は量産装置の開発まで行いたいと考えています。現状は小型の装置での実験で、GaNおよびGa2O3がそれぞれ高速にエピタキシャル成長することを確認しております。

薄膜形成技術、薄膜材料技術を中心に新しい材料、デバイスの開発を目指しています。

・スパッタ法を用いたGaNおよびGa2O3の開発

それぞれ高速成膜にてエピタキシャル成長に成功しています。

・スパッタ法を用いた新たしい圧電薄膜の開発

　　低コストな圧電薄膜を目指しています

・IOT静電チャック

　　薄膜型の薄い静電チャックのアイデア

参考

https://tak-fd.com/archives/157/

・得られた材料の評価のお願い

・共同での実験実施

・実験のための費用の負担を期待

開発のサポート/評価/第一原理計算による材料開発のサポートを期待いたします。

酸化ガリウム材料に関して半導体装置メーカーと共創が決まりました。

2024年秋以降にサンプルを出せると思います。

デバイスメーカー様との共創を期待したします。